中国、独自技術で64層3Dフラッシュメモリの量産に成功
拡大画像はログイン後にご覧いただけます

「新華社」 中国、独自技術で64層3Dフラッシュメモリの量産に成功  長江ストレージが開発した64層3DNANDフラッシュメモリウェハー。(資料写真)中国湖北省武漢市で12日、「新時代の湖北省、高品質発展の新たな章を記す」と題した記者会見が開かれ、長江存儲科技(長江ストレージ、YMTC)の楊道虹(よう・どうこう)副董事長が、中国独自の知的財産権に基づく64層3Dフラッシュメモリの量産に成功したことを明らかにした。(武漢=新華社配信)=撮影日不明、クレジット:新華社/共同通信イメージズ ※ファイルサイズの小さい画像です。

タグ IT 科学 技術 NANDフラッシュメモリ NANDフラッシュメモリウェハー YMTC どうこう ウェハー ストレージ ファイルサイズ フラッシュメモリ 中国湖北省 中国湖北省武漢市 存儲科技 湖北省武漢市 知的財産権 長江ストレージ 長江存儲 高品質発展

画像情報

登録日時
2020/01/16 00:00:00
種別
画像 / 報道
提供元
新華社

データサイズ

画像サイズ
1067×800 pixel
解像度
72 dpi
展開サイズ※
2.4(M)

※Photoshopなどで開いた際のファイルサイズ